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FET Transistors

The field-effect transistor (FET) is a transistor that uses an electric field to control the shape and hence the conductivity of a channel of one type of charge carrier in a semiconductor material. FETs are unipolar transistors as they involve single-carrier-type operation. The concept of the FET predates the bipolar junction transistor (BJT), though it was not physically implemented until after BJTs due to the limitations of semiconductor materials and the relative ease of manufacturing BJTs compared to FETs at the time.

Transistor > Thyristors > FET Transistors > MOSFET

型号	DS	厂牌	批号	数量	地区	采购
SI4850EY-T1-E3		Vishay	201538+	688	中国	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	200711+	740	中国	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	-	260	美国	要求报价
SI4850EYT1E3		Vishay	-	1276	德国	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	-	17	美国	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	-	33	美国	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	-	3	美国	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	2019+	600000	中国	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	2022+	2750	日本	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	2024+	4500	日本	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	-	66352	中国	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	201051+	1700	中国	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	2007+	35	中国	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	-	91	美国	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	2010+	8649	中国	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	2022+	2500	美国	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	201413	641	丹麦	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	-	67	美国	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	201816+	748	香港	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	2018+	748	新加坡	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	2007+	1791	以色列	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	-	3000	美国	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	-	49	美国	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	-	2505	台湾	要求报价
SI4850EY-T1-E3		Vishay	2006+	2000	瑞典	要求报价

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